Hocheffiziente GaN-Lösungen für Industrie und Automotive

GaNrich Semiconductor Corporation mit Sitz in Taiwan entwickelt innovative Leistungshalbleiter auf Basis der Gallium-Nitrid-(GaN)-Technologie. Das 2020 gegründete Unternehmen verfügt über langjährige Erfahrung in der Entwicklung hocheffizienter und zuverlässiger GaN-Leistungshalbleiter für Industrie-, Automotive- und Energieanwendungen. Das Portfolio umfasst E-Mode- und D-Mode-GaN-FETs, Cascode-GaN, integrierte GaN-ICs sowie GaN-Power-Stage-Lösungen von 40 V bis 1200 V in industrieweit etablierten Gehäusen. Ergänzt wird das Angebot durch Entwicklungsunterstützung, Referenzdesigns und Zuverlässigkeitstests, um Kunden bei der Entwicklung moderner, energieeffizienter Leistungselektronik zu unterstützen.